- Ausgangskennlinienfeld
- nсемейство выходных характеристик
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen. 2013.
Ausgangskennlinienfeld
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
JFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
SFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-Feldeffekttransistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Basisweiten-Modulation — Early Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten Modulation (Early Effekt) … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Early-Effekt — Early Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten Modulation (Early Effekt) … Deutsch Wikipedia
Early-Spannung — im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten Modulation (Early Effekt) … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
